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非易失性半导体存储装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780045014.3
  • IPC分类号:G11C13/00H01L27/10H01L45/00
  • 申请日期:
    2007-11-05
  • 申请人:
    夏普株式会社
著录项信息
专利名称非易失性半导体存储装置
申请号CN200780045014.3申请日期2007-11-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-09-30公开/公告号CN101548334
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C13/00IPC分类号G11C13/00;H01L27/10;H01L45/00查看分类表>
申请人夏普株式会社申请人地址
日本国*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人夏普株式会社当前权利人夏普株式会社
发明人井上刚至;细井康成;大西茂夫;粟屋信义
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汪惠民
摘要
提供一种针对多个具备随着电压施加而电阻特性发生变化地可变电阻元件的存储器单元、可单独同时执行电阻变化的不同的改写动作的非易失性半导体存储装置。按与同一列的存储器单元公共连接的每个位线(BL0~3),具备根据使改写对象的可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态向高电阻状态转移的第一改写动作与从高电阻状态向低电阻状态转移的第二改写动作的差异,可单独选择2个负载电阻特性的任一个的负载电阻特性可变电路(14),具备将第一改写动作中施加的第一电压脉冲和第二改写动作中施加第二电压脉冲,经负载电阻特性可变电路(14)和位线(BL0~3)施加给改写对象的存储器单元的改写电压脉冲施加电路(13a)。

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