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垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法

发明公开有效专利
  • 申请号:
    CN201210480345.2
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2012-11-22
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法
申请号CN201210480345.2申请日期2012-11-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-12-04公开/公告号CN103426892A
优先权13/475,301 2012.05.18 US优先权号US20120475301
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人林政贤; 洪丰基; 杨敦年; 刘人诚; 陈思莹; 王文德; 许慈轩
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲; 孙征
摘要
一种器件包括背照式(BSI)图像传感器芯片,其包括设置在第一半导体衬底的正面上的图像传感器,以及位于第一半导体衬底正面上的包括多个金属层的第一互连结构。一种器件芯片与该图像传感器芯片接合。该器件芯片包括位于第二半导体衬底的正面上的有源器件,以及位于第二半导体衬底正面上的包括多个金属层的第二互连结构。第一通孔穿透BSI图像传感器芯片,从而连接位于第二互连结构中的第一金属焊盘。第二通孔穿透位于第一互连结构中的介电层,从而连接位于第一互连结构中的第二金属焊盘,其中,第一通孔和第二通孔电连接。本发明提供垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法。

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