硅芯洁净工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN200710022738.8
IPC分类号：C30B33/12
申请日期：
2007-05-31
申请人：
无锡中彩科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	硅芯洁净工艺
申请号	CN200710022738.8	申请日期	2007-05-31
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-12-26	公开/公告号	CN101092752
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/08 侵蚀〔5〕 C30B33/12 在气体气氛或等离子体内〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人	无锡中彩科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市惠山区玉祁镇工业集中区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡中彩科技有限公司	当前权利人	无锡中彩科技有限公司
发明人	周大荣
代理机构	无锡市大为专利商标事务所	代理人	曹祖良

摘要

硅芯洁净工艺，本发明涉及多晶硅的加工工艺，具体地说是一种洁净硅芯的方法。按照本发明提供的技术方案，硅芯洁净工艺包括：a.硅芯预处理：先用无水乙醇擦去硅芯表面的杂质，再用丙酮擦去硅芯表面的油污；b.洁净：将清洁的硅芯置于密闭的反应容器内，在300－320℃的温度下发生如下反应：Si+HCl→SiHCl3+H2；在上述反应过程中，将氢气和氯化氢的混合气体通入反应容器内；c.尾气重复利用：反应产物三氯氢硅和氢气为制备多晶硅的原材料，反应产物通过反应容器内的进出气管回气，通过管道进入还原工段。

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