同轴磁控溅射靶

实用新型专利无效专利

申请号：
CN93214070.X
IPC分类号：--
申请日期：
1993-04-13
申请人：
昆明航天科发镀膜公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	同轴磁控溅射靶
申请号	CN93214070.X	申请日期	1993-04-13
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	昆明航天科发镀膜公司	申请人地址	云南省昆明市东郊八公里通宇301昆明物资站变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明航天科发镀膜公司	当前权利人	昆明航天科发镀膜公司
发明人	倪振中
代理机构	云南省专利事务所	代理人	孙月红

摘要

本实用新型提供一种可应用于大面积基板上镀装饰性铬膜和碳化钨、超硬膜以及多元素材料混合膜的磁控溅射靶。它是由非磁性金属基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)组成。靶基体外层采用高硬度、高熔点金属制做的靶环(5)，环状套装结构，可通过移动磁环位置来改变靶材的溅射部位，同时也便于更换有缺陷靶环，靶材利用率可提高至70％以上，为无污染镀膜提供了一种适用于工业化生产的靶材。本实用新型具有刻蚀均匀度好，刻蚀面积大，沉积速度高，薄膜均匀度好，结构简单、易制做特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN100507765C	2004-12-16	2004-12-16	制造用于表壳的陶瓷元件的方法及通过该方法获得的元件有效专利	劳力士有限公司
2	CN100437103C	2005-07-22	2005-07-22	一种碳化钨催化电极失效专利	浙江工业大学
3	CN102456478A	2010-10-22	2010-10-22	磁铁及其加工方法和磁控溅射源无效专利	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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