单晶制造装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201780002192.1
IPC分类号：C30B29/06;C30B11/08
申请日期：
2017-05-31
申请人：
株式会社水晶系统

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法律信息

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著录项信息

专利名称	单晶制造装置
申请号	CN201780002192.1	申请日期	2017-05-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-20	公开/公告号	CN107949665A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;1;/;0;8查看分类表>
申请人	株式会社水晶系统	申请人地址	日本山梨县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社水晶系统	当前权利人	株式会社水晶系统
发明人	进藤勇
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明制造在垂直方向和水平方向上的组成均具有最佳添加物浓度的均质的大型单晶。本发明提供单晶制造装置，至少具备在内部设置待制造的物质的种晶的透明石英管；设置于所述透明石英管的上部的粉末原料供给元件，其向设置在所述透明石英管内的种晶上供给粉末原料；设置于所述透明石英管的外侧的红外线照射元件，其向设置在所述透明石英管内的种晶的上表面以及通过所述粉末原料供给元件而供给至所述透明石英管内的粉末原料照射红外线；从所述红外线照射元件向所述透明石英管内照射红外线，藉此将所述种晶的上表面和粉末原料熔融，在所述种晶上使熔融后的物质固化来制造待制造的物质的单晶。

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