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一种基于太赫兹光谱技术测量石墨烯薄膜电导的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510855575.6
  • IPC分类号:G01N21/3586
  • 申请日期:
    2015-11-30
  • 申请人:
    中国科学院重庆绿色智能技术研究院
著录项信息
专利名称一种基于太赫兹光谱技术测量石墨烯薄膜电导的方法
申请号CN201510855575.6申请日期2015-11-30
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-04-27公开/公告号CN105527243A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/3586IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;3;5;8;6查看分类表>
申请人中国科学院重庆绿色智能技术研究院申请人地址
重庆市北碚区方正大道266号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院重庆绿色智能技术研究院当前权利人中国科学院重庆绿色智能技术研究院
发明人颜识涵;魏东山;施长城;李占成;史浩飞;杜春雷;崔洪亮
代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司代理人廖曦
摘要
本发明涉及一种基于太赫兹光谱技术测量石墨烯薄膜电导的方法,属于太赫兹光谱检测技术应用领域。该方法包括以下步骤:S1:调节获得适应于测量薄膜的太赫兹时域光谱系统光路;S2:测量获取基底材料的太赫兹时域波谱信号;S3:测量获取转移石墨烯薄膜后基底材料的太赫兹时域波谱信号;S4:根据步骤S2和S3采集的信号,利用公式计算太赫兹波段石墨烯电导;S5:建立通过太赫兹光谱技术获得的电导与采用传统的四探针方法获得的电导之间标准关系曲线,获得关联因子;根据关联因子,获得在可见光波段石墨烯电导。该方法适合对转移到半导体或高分子基底上的石墨烯进行检测,同时也适合推广到其他半导体薄膜电导的检测。

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