一种低温晶圆键合方法

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专利名称	一种低温晶圆键合方法
申请号	CN201210491190.2	申请日期	2012-11-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-04	公开/公告号	CN103832970A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C3/00 从单独处理过的部件组装装置或系统〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	刘洪刚;李运;王盛凯;张雄;郭浩;孙兵;常虎东;赵威
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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