MSQ－基多孔低－K薄膜材料的等离子体固化

发明专利无效专利

申请号：
CN02814288.8
IPC分类号：--
申请日期：
2002-07-15
申请人：
艾克塞利斯技术公司;切马特科技公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	MSQ－基多孔低－K薄膜材料的等离子体固化
申请号	CN02814288.8	申请日期	2002-07-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-10-13	公开/公告号	CN1537325
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	艾克塞利斯技术公司;切马特科技公司	申请人地址	美国马萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾克塞利斯技术公司,切马特科技公司	当前权利人	艾克塞利斯技术公司,切马特科技公司
发明人	Q·韩;C·瓦尔德弗里德;O·埃斯科西亚;R·阿巴诺;I·L·贝里三世;J·詹格;I·巴尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘元金;庞立志

摘要

弹性模量提高的低介电常数薄膜材料。制造这类薄膜材料的方法包含：提供一种由一种含至少2个Si－CH3基团的树脂制成的多孔甲基倍半硅氧烷－基介电薄膜材料并等离子体固化该多孔薄膜材料，以使该薄膜转化为多孔二氧化硅。多孔薄膜材料的等离子体固化产生一种模量与脱气性提高的薄膜。弹性模量的提高一般大于或约为100％，更典型地，大于或约为200％。该薄膜在低于或约为350℃的一个温度下等离子体固化约15～约120秒钟。该等离子体固化的多孔薄膜材料可任选地进行退火处理。与等离子体固化多孔薄膜材料相比，等离子体固化薄膜的退火可减小薄膜的介电常数，同时保持提高的弹性模量。退火温度一般低于或约为450℃。退火等离子体固化薄膜的介电常数范围为约1.1～约2.4，且弹性模量有所提高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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