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基于PNPN结构的双向隔离型ESD保护器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610875192.X
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2016-09-30
  • 申请人:
    上海贝岭股份有限公司
著录项信息
专利名称基于PNPN结构的双向隔离型ESD保护器件
申请号CN201610875192.X申请日期2016-09-30
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2018-04-06公开/公告号CN107887377A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人上海贝岭股份有限公司申请人地址
上海市徐汇区宜山路810号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海贝岭股份有限公司当前权利人上海贝岭股份有限公司
发明人陶园林;赵海亮;常祥岭
代理机构上海弼兴律师事务所代理人薛琦;张冉
摘要
本发明公开了一种基于PNPN结构的双向隔离型ESD保护器件,包括P型衬底,P型衬底内设有N型埋层,且在其上覆盖P型外延,P型外延内且在N型埋层之上设有高压N阱环,高压N阱环包裹的P型外延内设有第一低压N阱、第二低压N阱和高压P阱,第一低压N阱内注有第一P+区和第一N+区,第二低压N阱内注有第二P+区和第四N+区,第二N+区横跨于第一低压N阱与高压P阱边界,第三N+区横跨于第二低压N阱与高压P阱边界,P型外延、第一低压N阱、高压P阱和第二低压N阱未注有器件的顶部区域及高压N阱环的顶部区域上均覆盖有氧化隔离层。本发明可以支持端口工作在正向或负向电压,器件结构简单,所占芯片面积更小。

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