一种晶圆清洗方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710775167.9
IPC分类号：H01L21/02;H01L27/115
申请日期：
2017-08-31
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种晶圆清洗方法
申请号	CN201710775167.9	申请日期	2017-08-31
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-19	公开/公告号	CN107611010A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	刘开源
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	党丽;王宝筠

摘要

本发明提供一种晶圆清洗方法，应用于3DNAND器件制造工艺中，在衬底上形成堆叠层，并在堆叠层中刻蚀出沟道孔之后，在沟道孔形成存储层之前，采用清洗液进行清洗，而后，进行IPA转动干燥。在该方法中，采用IPA进行干燥，干燥过程中，由于IPA与晶圆上残留液体的表面张力的差异，IPA会将沟道孔中残留液体剥离下来，而后，通过晶圆转动以及IPA的挥发，将晶圆干燥，从而，提高深孔清洗质量，避免后续形成存储层后形成大量的颗粒缺陷，提升产品良率。

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