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有机金属化学气相沉积反应器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810177922.4
  • IPC分类号:C23C16/18;C23C16/455;C23C16/52
  • 申请日期:
    2008-11-21
  • 申请人:
    住友电气工业株式会社
著录项信息
专利名称有机金属化学气相沉积反应器
申请号CN200810177922.4申请日期2008-11-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-05-27公开/公告号CN101440479
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/18IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2查看分类表>
申请人住友电气工业株式会社申请人地址
日本大阪府大阪市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电气工业株式会社当前权利人住友电气工业株式会社
发明人上野昌纪;高须贺英良
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人陈海涛;樊卫民
摘要
本发明提供了有机金属化学气相沉积(MOCVD)反应器,利用所述反应器,在使得沉积膜厚度均匀的同时,能够提高膜的沉积效率。MOCVD反应器(1)安装有基座(5)和导管(11)。基座(5)具有用于加热和承载衬底(20)的承载面。导管(11)用于将反应气体G引导到衬底(20)。基座5可以旋转,同时承载面朝向导管(11)内部。导管(11)具有管道(11b)和(11c),其在点A4上游的导管端处合并。导管(11)的高度沿反应气体G流动方向,从点P1至点P2朝向导管下游端单调降低,从点P2至点P3保持不变,从点P3朝向下游单调降低。点P1位于点A4的上游,而点P3位于基座5上。

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