具有高ε介电材料或铁电材料的电容器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN99120211.2
IPC分类号：--
申请日期：
1999-09-17
申请人：
西门子公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有高ε介电材料或铁电材料的电容器及其制造方法
申请号	CN99120211.2	申请日期	1999-09-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-03-29	公开/公告号	CN1248790
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	西门子公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	G·朗格;T·施勒塞尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	马铁良;张志醒

摘要

具有高ε介电系数或铁电系数的电容器介电体(9)的电容器，其含贵金属的存储器电极具有多个经支撑结构(9s)彼此连接的水平薄片(9L)。支撑结构可以安置到薄片的一个或优先是二个彼此对置的外侧面上。在制造时首先(其中通过淀积具有交替的较低和较高腐蚀率的层系列)特别由P+多晶硅形成、随后用电极材料保形填满的叠片的阴模。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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