含硼多孔碳电极材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810202067.8
IPC分类号：H01G9/042;H01G9/058
申请日期：
2008-10-31
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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著录项信息

专利名称	含硼多孔碳电极材料及其制备方法
申请号	CN200810202067.8	申请日期	2008-10-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-18	公开/公告号	CN101388291
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/00 电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法〔2〕 H01G9/004 零部件〔6〕 H01G9/04 电极〔6〕 H01G9/042 以材料为特征的（H01G 11/22优先）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;0;4;2;;;H;0;1;G;9;/;0;5;8查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	高秋明;郭宏亮
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种含硼多孔碳电极材料及其制备方法，属于电化学和新能源材料领域。该多孔碳电极材料采用干凝胶化学活化法制备得到。该方法制备的多孔碳电极材料具有较高比表面积，孔结构可调控，电化学活性官能团较多等特点。孔结构是由4～7nm的介孔和0.4～0.7nm的微孔组成，硼含量4～10at％。该碳电极电化学电容器能量密度较高，综合性能理想。该电极材料制备工艺简单，对设备要求不苛刻，原材料廉价，成本低，适于产业化。

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