电子器件用铜合金及其制造方法及电子器件用铜合金轧材

发明专利有效专利

申请号：
CN201180018491.7
IPC分类号：C22C9/00;C22F1/08;H01B1/02;C22F1/00;C22C9/04;C22F1/02
申请日期：
2011-05-13
申请人：
三菱综合材料株式会社

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著录项信息

专利名称	电子器件用铜合金及其制造方法及电子器件用铜合金轧材
申请号	CN201180018491.7	申请日期	2011-05-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-12	公开/公告号	CN102822363A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C22C9/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C22 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 C22C 合金（合金的处理入C21D、C22F） C22C9/00 铜基合金	IPC分类号	C;2;2;C;9;/;0;0;;;C;2;2;F;1;/;0;8;;;H;0;1;B;1;/;0;2;;;C;2;2;F;1;/;0;0;;;C;2;2;C;9;/;0;4;;;C;2;2;F;1;/;0;2查看分类表>
申请人	三菱综合材料株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱综合材料株式会社	当前权利人	三菱综合材料株式会社
发明人	伊藤优树;牧一诚
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	康泉;王珍仙

摘要

本发明提供一种电子器件用铜合金、电子器件用铜合金的制造方法及电子器件用铜合金轧材。该电子器件用铜合金的一种形态包括Cu和Mg的二元系合金，该二元系合金以3.3原子%以上6.9原子%以下的范围包含Mg，剩余部分只包括Cu及不可避免杂质，当Mg的含量为A原子%时，导电率σ（%IACS）在以下范围内，σ≤{1.7241/（-0.0347×A2+0.6569×A+1.7）}×100。该电子器件用铜合金的另一形态包括Cu、Mg及Zn的三元系合金，该三元系合金以3.3原子%以上6.9原子%以下的范围包含Mg，以0.1原子%以上10原子%以下的范围包含Zn，剩余部分只包括Cu及不可避免杂质，当Mg的含量为A原子%，Zn的含量为B原子%时，导电率σ（%IACS）在以下范围内，σ≤{1.7241/（X+Y+1.7）}×100，X=-0.0347×A2+0.6569×A，Y=-0.0041×B2+0.2503×B。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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