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校准片及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010566938.5
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L21/02
  • 申请日期:
    2020-06-19
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
著录项信息
专利名称校准片及其制造方法
申请号CN202010566938.5申请日期2020-06-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-11-06公开/公告号CN111900196A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司当前权利人中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
发明人金炳喆;金德容;曲扬;白国斌;于飞
代理机构北京辰权知识产权代理有限公司代理人付婧
摘要
本申请公开了一种校准片及其制造方法,该校准片包括硅片和位于所述硅片上的颗粒状的凸起图案,凸起图案在硅片上的投影为圆形,凸起图案在硅片上的投影圆的直径为预设目标尺寸的2倍,凸起图案的高度为预设目标尺寸的1.3倍,凸起图案与硅片一体成型;或者,凸起图案为氧化物材料制成。本申请提供的校准片,包括硅片和位于硅片上的颗粒状的凸起图案,能够使颗粒量测仪稳定准确地读出颗粒尺寸,能够对颗粒量测仪进行每周/每月的周期性尺寸校准。

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