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新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201320685056.6
  • IPC分类号:G01N3/12;G01N3/02
  • 申请日期:
    2013-11-01
  • 申请人:
    武汉科技大学
著录项信息
专利名称新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台
申请号CN201320685056.6申请日期2013-11-01
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N3/12IPC分类号G;0;1;N;3;/;1;2;;;G;0;1;N;3;/;0;2查看分类表>
申请人武汉科技大学申请人地址
湖北省武汉市青山区和平大道947号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉科技大学当前权利人武汉科技大学
发明人许仁波;涂福泉;段晶晶;陈新元;傅连东;刘春雨;杨攀;孟奇龙
代理机构北京汇信合知识产权代理有限公司代理人陈圣清
摘要
本实用新型提供一种新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台,包括底座;下固定工装、磁场产生组件、上固定工装、传感测量组件和外壳。该测试平台,包含的磁场产生组件中的铁芯为可调式,可根据合金的尺寸调整铁芯形成的第一间隙的大小,从而使其产生的磁场与合金更加匹配,提高实验测试的准确性。

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