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用于补偿不期望的运动的压电MEMS致动器及其制造工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010444104.7
  • IPC分类号:G02B26/08;B81C1/00;B81B7/02
  • 申请日期:
    2020-05-22
  • 申请人:
    意法半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称用于补偿不期望的运动的压电MEMS致动器及其制造工艺
申请号CN202010444104.7申请日期2020-05-22
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-11-24公开/公告号CN111983801A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B26/08IPC分类号G;0;2;B;2;6;/;0;8;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人意法半导体股份有限公司申请人地址
意大利阿格拉布里安扎 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人意法半导体股份有限公司当前权利人意法半导体股份有限公司
发明人D·朱斯蒂;D·帕希
代理机构北京市金杜律师事务所代理人董莘
摘要
本公开涉及一种用于补偿不期望的运动的微机电系统(MEMS)压电致动器及其制造工艺。MEMS致动器包括半导体材料的单片式主体,其中半导体材料的支撑部可相对于彼此横切的第一旋转轴和第二旋转轴定向。半导体材料的第一框架通过第一可变形元件耦合到支撑部,第一可变形元件被配置为控制支撑部绕第一旋转轴的旋转。半导体材料的第二框架通过第二可变形元件耦合到第一框架,第二可变形元件耦合在第一框架和第二框架之间并且被配置为控制支撑部绕第二旋转轴的旋转。第一可变形元件和第二可变形元件承载相应的压电致动元件。

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