一种气敏传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN200710117612.9
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2007-06-20
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种气敏传感器
申请号	CN200710117612.9	申请日期	2007-06-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-24	公开/公告号	CN101329291
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	黄钦文;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种气敏传感器，包括单晶硅衬底，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层，加热测温电极、叉指电极，加热测温电极和叉指电极之间的电绝缘层，叉指电极引出线压焊点、加热测温电极引出线压焊点和气体敏感层；所述电绝缘层在所述加热测温电极形成后淀积在所述加热测温电极上，所述叉指电极形成于所述电绝缘层上，所述气体敏感层淀积在所述叉指电极上。利用本发明，提高了器件被加热的工作区域部分与周围的热绝缘，降低了器件功耗，简化了器件中加热和测温部分的结构，有利于器件的大量生产以及和信号采集处理电路的集成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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