一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201410172871.1
IPC分类号：H01S5/343
申请日期：
2014-04-22
申请人：
吉林农业大学

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著录项信息

专利名称	一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构
申请号	CN201410172871.1	申请日期	2014-04-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-10	公开/公告号	CN104037618A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/343 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕 H01S5/343 用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4;3查看分类表>
申请人	吉林农业大学	申请人地址	吉林省长春市新城大街2888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	吉林农业大学	当前权利人	吉林农业大学
发明人	尤明慧;于新雨;李占国;刘景圣;李士军;欧仁侠;高欣;樊娟娟;孙启响;于秀玲;李雪;梁雪梅;史明非;孙连志
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构，即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构，来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度，增加对载流子的俘获能力，对量子点分布的均匀性也有所改善，增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点，能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动，波长可以覆盖1.5μm，从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性，易于与现有光电子器件集成等特点，GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景，对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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