低温快速制备MgB2超导体的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810053759.0
IPC分类号：C04B35/58;H01B12/00
申请日期：
2008-07-04
申请人：
天津大学

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著录项信息

专利名称	低温快速制备MgB2超导体的方法
申请号	CN200810053759.0	申请日期	2008-07-04
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-03	公开/公告号	CN101314544
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/58 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/515 以非氧化物为基料的（C04B 35/50、C04B 35/51优先）〔6〕 C04B35/58 以硼化物、氮化物或硅化物为基料的〔4，6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;5;8;;;H;0;1;B;1;2;/;0;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号天津大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	刘永长;马宗青;赵倩;余黎明
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	王丽

摘要

本发明为低温快速制备MgB2超导体的方法，利用Cu粉和SiC粉共同掺杂的方法。先将Mg粉、Cu粉和B粉按原子量比例(MgB2)1－xCux其中：x＝0.01～0.10充分混合，然后该混合粉末再与SiC按照质量比例(MgB2)1－xCux+ySiC，其中：y＝0.01～0.10进行配比，在2～10MPa的压力下制成薄片，最后将薄片放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉进行低温烧结，升温速率5～40℃/min，升至490～620℃后，在此温度保温烧结2～10个小时，然后以10～40℃/min的冷却速度降至室温。本发明中制备MgB2超导体的烧结温度低，烧结时间短，从而大大弥补了传统低温烧结法制备MgB2超导体所需时间长的弊端，而且制备出来的MgB2超导体具有优良的超导性能。因而这种Cu和SiC共掺杂低温烧结的方法是一种非常有潜力的实用生产方法。

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