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适用于高度较高磁体的辐射充磁装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210332926.1
  • IPC分类号:H01F13/00
  • 申请日期:
    2012-09-11
  • 申请人:
    成都图南电子有限公司
著录项信息
专利名称适用于高度较高磁体的辐射充磁装置
申请号CN201210332926.1申请日期2012-09-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2012-11-21公开/公告号CN102789875A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01F13/00IPC分类号H;0;1;F;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人成都图南电子有限公司申请人地址
四川省成都市高新西区新创路12号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都图南电子有限公司当前权利人成都图南电子有限公司
发明人周勇
代理机构成都金英专利代理事务所(普通合伙)代理人袁英
摘要
本发明公开了一种适用于高度较高磁体的辐射充磁装置,包括支架(1)、充磁电源(2)、气缸(3)和控制单元(4),上极头(6)固定安装在活塞杆顶端,下极头(7)固定安装在支架(1)上;上极头(6)和下极头(7)内分别设有充磁线圈,下极头(7)的中心位置设有定位柱(9),磁体(10)套接在定位柱(9)上,磁体(10)的外侧套接有导磁定位套(11)。本发明使用过程中,磁体被定位夹装在定位柱与导磁定位套之间,磁体定位准确度高且不易发生偏移,保障了磁体平衡、均匀的充磁效果;特殊绕制的充磁线圈可提供较高的磁通密度,可满足高度较高的磁体的充磁需求;在磁体上套接高导磁性的导磁定位套,提高了磁体获得的磁通密度。

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