一种内置天线射频离子源

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201621043497.6
IPC分类号：G21B1/11
申请日期：
2016-09-07
申请人：
中国科学院合肥物质科学研究院

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种内置天线射频离子源
申请号	CN201621043497.6	申请日期	2016-09-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21B1/11 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21B 聚变反应堆（不可控聚变，其应用入G21J） G21B1/02 （转入G21B 1/00，G21B 3/00） G21B1/11 零件〔8〕	IPC分类号	G;2;1;B;1;/;1;1查看分类表>
申请人	中国科学院合肥物质科学研究院	申请人地址	安徽省合肥市蜀山湖路350号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院合肥物质科学研究院	当前权利人	中国科学院合肥物质科学研究院
发明人	蒋才超;李军;胡纯栋;谢亚红;吴斌;赵鹏;刘胜;韦江龙;顾玉明;刘玲;王进芳
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本实用新型公开了一种内置天线射频离子源，主体由真空腔体、大于等于两匝金属管绕成的天线线圈和绝缘保持架组成，所述的天线线圈通过绝缘保持架绝缘分隔固定，且天线线圈呈平行状态排列布置在真空腔体内，绝缘保持架填充天线线圈间的空隙，避免此空间粒子在射频激励下加速到高能量直接对天线轰击造成对天线的破坏。本实用新型没有法拉第筒的作用，射频功率直接耦合进等离子体，效率高；绝缘保持架填充射频天线间空隙,避免此空间粒子在射频激励下加速到高能量直接对天线轰击造成对天线的破坏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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