适用于高度较高磁体的辐射充磁装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220459147.3
IPC分类号：H01F13/00
申请日期：
2012-09-11
申请人：
成都图南电子有限公司

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著录项信息

专利名称	适用于高度较高磁体的辐射充磁装置
申请号	CN201220459147.3	申请日期	2012-09-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F13/00 磁化或去磁的设备或方法	IPC分类号	H;0;1;F;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	成都图南电子有限公司	申请人地址	四川省成都市高新西区新创路12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都图南电子有限公司	当前权利人	成都图南电子有限公司
发明人	周勇
代理机构	成都金英专利代理事务所（普通合伙）	代理人	袁英

摘要

本实用新型公开了一种适用于高度较高磁体的辐射充磁装置，包括支架（1）、充磁电源（2）、气缸（3）和控制单元（4），上极头（6）固定安装在活塞杆顶端，下极头（7）固定安装在支架（1）上；上极头（6）和下极头（7）内分别设有充磁线圈，下极头（7）的中心位置设有定位柱（9），磁体（10）套接在定位柱（9）上，磁体（10）的外侧套接有导磁定位套（11）。本实用新型使用过程中，磁体被定位夹装在定位柱与导磁定位套之间，定位准确度高且不易发生偏移，保障了磁体平衡、均匀的充磁效果；特殊绕制的充磁线圈可提供较高的磁通密度，可满足高度较高磁体的充磁需求；在磁体上套接高导磁性的导磁定位套，提高了磁体获得的磁通密度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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