一种难熔超强金属单晶纳米线的原位生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011621078.7
IPC分类号：C30B11/02;C30B29/62;C30B29/02;B22F9/08;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2020-12-31
申请人：
东南大学

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专利名称	一种难熔超强金属单晶纳米线的原位生长方法
申请号	CN202011621078.7	申请日期	2020-12-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-28	公开/公告号	CN112853469A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B11/02 不使用溶剂的（C30B 11/06）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;6;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;2;;;B;2;2;F;9;/;0;8;;;B;2;2;F;1;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市江宁区东南大学路2号东南大学电子学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	钟立;李海
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙）	代理人	冯慧

摘要

本发明公开了一种大长径比、低缺陷浓度、超强金属钨单晶纳米线的原位生长方法。具体方法为：基于原位透射电子显微技术对两个相互接触的钨尖端施加电压产生电流，通过焦耳加热使金属局部熔化断开；熔融金属在两个断开尖端间的强电场中迅速固化，在电场作用下生成长径比大、缺陷密度极低的金属钨单晶纳米线。本发明实现一步法生长单根钨单晶纳米线，步骤简单、效率高(单根纳米线生长时间远小于1s)；制备得到的纳米线具有尺寸均匀、缺陷少、结晶度高、表面无污染、弹性应变大、强度高等特点。

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