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磁性石榴石单晶膜形成用衬底、光学元件及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02816498.9
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2002-06-21
  • 申请人:
    TDK株式会社
著录项信息
专利名称磁性石榴石单晶膜形成用衬底、光学元件及其制备方法
申请号CN02816498.9申请日期2002-06-21
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日2004-11-17公开/公告号CN1547627
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人TDK株式会社申请人地址
日本东京都中央区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TDK株式会社当前权利人TDK株式会社
发明人坂下幸雄;川崎克己;大井户敦;守越广树;内田清志;山泽和人
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人钟守期;庞立志
摘要
本发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底,和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10),和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。

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