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一种压模式LED结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821596281.1
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/62
申请日期：
2018-09-28
申请人：
惠州市鑫永诚光电科技有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种压模式LED结构
申请号	CN201821596281.1	申请日期	2018-09-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;4;;;H;0;1;L;3;3;/;5;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人	惠州市鑫永诚光电科技有限公司	申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区潼侨镇宏村联发大道北面好环境公司厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠州市鑫永诚光电科技有限公司	当前权利人	惠州市鑫永诚光电科技有限公司
发明人	谭起富;吴伟;张陈超
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	唐致明

摘要

本实用新型公开了一种压模式LED结构，包含：支架、锥形容置空间，塑胶件，塑胶件与锥形容置空间为一体成型结构，在塑胶件的上部设有晶片，以及与晶片连接的底线和金线，晶片、金线、底线通过胶液封装在锥形容置空间内。通过设置支架、锥形容置空间、塑胶件、晶片、金线、底线形成一种可靠的压模式LED结构。

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