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一种沟槽式场效应晶体管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201920221201.2
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
  • 申请日期:
    2019-02-21
  • 申请人:
    深圳市鑫飞宏电子有限公司
著录项信息
专利名称一种沟槽式场效应晶体管
申请号CN201920221201.2申请日期2019-02-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人深圳市鑫飞宏电子有限公司申请人地址
广东省深圳市龙华区大浪街道高峰社区龙观西路2号B2101宝龙大厦B2101-2104室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市鑫飞宏电子有限公司当前权利人深圳市鑫飞宏电子有限公司
发明人陈石元
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种沟槽式场效应晶体管,本实用新型涉及半导体技术领域;衬底的上表面中部固定有一号石墨烯层;一号石墨烯层的左右两侧均设有一号外延层;一号外延层固定在衬底的上表面上;左右两侧的一号外延层以及一号石墨烯层的上侧设有二号外延层;二号外延层中部内从左到右依次设有数排硼扩散区组;二号外延层的上侧设有二号石墨烯层;二号石墨烯层中部的凹槽内设有二号栅氧化层;二号石墨烯层的上表面左右两侧分别设有源电极和漏电极;提高沟槽式场效应晶体管击穿电压的功能。

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