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用于液晶显示面板的阵列基板及阵列基板的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310303970.4
  • IPC分类号:G02F1/1333;G02F1/1339
  • 申请日期:
    2013-07-19
  • 申请人:
    深超光电(深圳)有限公司
著录项信息
专利名称用于液晶显示面板的阵列基板及阵列基板的制造方法
申请号CN201310303970.4申请日期2013-07-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-10-29公开/公告号CN104122695A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/1333IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;3;3;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;9查看分类表>
申请人深超光电(深圳)有限公司申请人地址
广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路深超光电科技园A栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深超光电(深圳)有限公司当前权利人深超光电(深圳)有限公司
发明人王明宗;齐国杰;许琪;陈丹
代理机构深圳市鼎言知识产权代理有限公司代理人叶小勤
摘要
本发明提供一种用于液晶显示面板的阵列基板及其制造方法。阵列基板包括基底、第一线路层、绝缘层、半导体膜、第二线路层、钝化层、导电膜以及间隔物。第一线路层包括栅极线、与栅极线相连的栅极、第一垫高层。半导体膜包括沟道层、第二垫高层。第二线路层包括源极、漏极、第三垫高层。导电膜包括像素电极、第四垫高层。栅极、绝缘层、沟道层、源极及漏极定义阵列基板的薄膜晶体管。间隔物是层叠设置的结构,其包括第一垫高层、绝缘层、第二垫高层、第三垫高层、钝化层、第四垫高层及至少一层光致抗蚀剂。该至少一层光致抗蚀剂是选自图案化该第一线路层、半导体膜、第二线路层及导电膜所使用的光致抗蚀剂。

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