改善多晶硅结晶率的方法及装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201310128323.4
IPC分类号：--
申请日期：
2013-04-12
申请人：
上海和辉光电有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	改善多晶硅结晶率的方法及装置
申请号	CN201310128323.4	申请日期	2013-04-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-08-07	公开/公告号	CN103236399A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海和辉光电有限公司	申请人地址	上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海和辉光电有限公司	当前权利人	上海和辉光电有限公司
发明人	钟尚骅;叶昱均
代理机构	上海申新律师事务所	代理人	竺路玲

摘要

本发明公开了一种改善多晶硅结晶率的方法，应用于非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，具体为叠加至少两脉冲激光束形成叠加脉冲激光束，且叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个脉冲激光束的脉冲宽度，利用该叠加脉冲激光束照射非晶硅层，以使非晶硅层转化为多晶硅层；通过使用至少两个准分子激光源，调制激光的脉冲宽度，形成一具有较长脉冲宽度的叠加脉冲激光束照射于非晶硅层表面，在将非晶硅层转化为多晶硅层的同时，还降低了激光的峰值功率，减小了氢爆现象的发生几率，从而克服了由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而污染光镜组的问题，进而提高了多晶硅的结晶率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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