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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610081759.2
  • IPC分类号:H01L27/144;H01L31/105
  • 申请日期:
    2006-05-11
  • 申请人:
    三洋电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN200610081759.2申请日期2006-05-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-11-29公开/公告号CN1870279
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/144IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;5查看分类表>
申请人三洋电机株式会社申请人地址
日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三洋电机株式会社当前权利人三洋电机株式会社
发明人长谷川昭博
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李香兰
摘要
本发明提供一种在半导体基板的主面上形成被分割为多个划区的受光部的半导体装置,其在成为每个划区(62)的PIN光电二极管(PIN-PD)的共同的阳极的P-sub层(80)上,生长成为PIN-PD的i层的高电阻率的外延层(82)。在划区(62)的边界上,通过从基板表面的离子注入而形成作为p+区域的分离区域(64)。在将各划区(62)上形成的阴极区域(66)和P-sub层(80)反向偏置而使PIN-PD起作用时,分离区域(64)和P-sub层(80)一起被施加接地电位而成为阳极。其结果是,在被分离区域(64)和P-sub层(80)所夹的位置的外延层(82)中,形成与电子相对的电位势垒。由此,能够防止在各划区(62)中由于光的吸收而产生的电子向相邻的划区(62)移动,从而实现元件分离。

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