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一种半导体致冷装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820200121.0
IPC分类号：F25B21/02
申请日期：
2008-09-02
申请人：
胡振辉

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体致冷装置
申请号	CN200820200121.0	申请日期	2008-09-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	F25B21/02 ? IPC结构图谱： F 机械工程；照明；加热；武器；爆破 F2 照明；加热 F25 制冷或冷却；加热和制冷的联合系统；热泵系统；冰的制造或储存；气体的液化或固化 F25B 制冷机，制冷设备或系统；加热和制冷的联合系统；热泵系统（热传导、热交换或热贮存材料，即制冷剂，或通过化学反应而不是燃烧产生热或冷的材料入C09K 5/00；泵、压缩机入F04；用热泵为住宅或场所供热或提供家用热水入F24D；空调，空气增湿入F24F；采用热泵的流体加热器入F24H） F25B21/00 应用电或磁效应的制冷机器、装置或系统 F25B21/02 应用珀耳贴效应；应用能斯特—厄廷豪森效应（热电元件入H01L 35/00，H01L 37/00）	IPC分类号	F;2;5;B;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	胡振辉	申请人地址	广东省中山市东凤镇和泰工业区置业路11号中山市鸿泰电子有限公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	胡振辉	当前权利人	胡振辉
发明人	胡振辉
代理机构	中山市科创专利代理有限公司	代理人	尹文涛

摘要

本实用新型公开了一种半导体致冷装置，包括有热电堆、铝质的散热件和导冷件，其设计要点在于热电堆上的上导流片外侧与散热件贴合，散热件与上导流片接触端设有极氧化层，热电堆上的下导流片外侧与导冷件贴合，导冷件与下导流片接触端设有阳极氧化层。本实用新型目的是提供一种成本低且散热效率高，致冷效果好的半导体致冷装置。

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