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一种薄型硅单晶抛光片加工方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810204445.6
  • IPC分类号:H01L21/302
  • 申请日期:
    2008-12-11
  • 申请人:
    上海合晶硅材料有限公司
著录项信息
专利名称一种薄型硅单晶抛光片加工方法
申请号CN200810204445.6申请日期2008-12-11
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-05-13公开/公告号CN101431021
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/302IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;2查看分类表>
申请人上海合晶硅材料有限公司申请人地址
上海市松江区石湖荡镇长塔路558号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海合晶硅材料股份有限公司当前权利人上海合晶硅材料股份有限公司
发明人栾兴伟;叶祖超
代理机构上海光华专利事务所代理人余明伟;冯珺
摘要
本发明涉及薄型硅单晶抛光片的加工方法,其包括以下步骤:步骤一,对硅单晶采用线切割切片;步骤二,采用开槽磨盘研磨的双面研磨机,其上使用内衬橡胶的不锈钢行星片,对切片后的硅单晶进行双面研磨;步骤三,采用酸腐蚀减薄工艺,酸腐蚀去除量在10~60微米;步骤四,采用纳米研磨工艺,纳米研磨去除量在1~25微米;步骤五,采用有蜡抛光工艺,有蜡抛光去除量在5~30微米。本发明通过采用一种新的薄型硅单晶抛光片加工新的技术路线和工艺流程,有效提高薄型硅单晶抛光片TTV、WARP、TIR、STIR等水平和成品率。

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