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一种增强史密斯帕塞尔辐射的光栅

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810570016.4
  • IPC分类号:G02B5/18;H01J23/027;H01J23/06
  • 申请日期:
    2018-06-05
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种增强史密斯帕塞尔辐射的光栅
申请号CN201810570016.4申请日期2018-06-05
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-11-06公开/公告号CN108761609A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/18IPC分类号G;0;2;B;5;/;1;8;;;H;0;1;J;2;3;/;0;2;7;;;H;0;1;J;2;3;/;0;6查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人张平;王小松
代理机构电子科技大学专利中心代理人邹裕蓉
摘要
本发明公开了一种增强史密斯帕塞尔辐射的光栅,属于光栅技术领域。本发明包括电子发射极、光栅齿、光栅槽、金属隔板和电子收集极;电子发射极和电子收集极分别位于光栅结构两端的上方;光栅齿与光栅槽周期性间隔排布;每个光栅槽中均竖直放置有金属隔板。本发明在光栅结构的槽中加金属隔板的结构,形成谐振,使史密斯帕塞尔辐射的方向集中在金属光栅的上半空间,与现有技术的Smith‑Purcell辐射相比,提高Smith‑Purcell的辐射功率。

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