一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210110868.8
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2012-04-17
申请人：
上海华力微电子有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法
申请号	CN201210110868.8	申请日期	2012-04-17
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-03	公开/公告号	CN102709154A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	毛智彪;胡友存;徐强
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	王敏杰

摘要

本发明公开了一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其中：提供衬底；在衬底上沉积一层低介电常数介质层；在低介电常数介质层上制作一开口；采用沉积和含氧气体处理循环进行的方式，在开口中沉积氮化硅，形成氮化硅和低介电常数介质的混合层；刻蚀氮化硅层，在所述氮化硅层中形成第一金属槽，并且减薄所述氮化硅层；采用沉积和含氧气体处理循环进行的方式，在开口中沉积氧化硅，且刻蚀氧化硅层去除水平方向上的氧化硅；刻蚀低介电常数介质层，形成第二金属槽；向第一金属槽和第二金属槽进行金属填充。本发明有效地提高了层内电容器的电容，改善了电容器的击穿电压、漏电流等各电特性并提高了各器件间的电学均匀性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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