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半导体结构的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410113838.1
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/423
  • 申请日期:
    2014-03-25
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构的形成方法
申请号CN201410113838.1申请日期2014-03-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-09-30公开/公告号CN104952716A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人三重野文健
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有第一区域,所述第一区域上形成有若干凸起的第一栅极结构,相邻第一栅极结构之间具有第一凹槽;对第一凹槽侧壁表面进行疏水处理,使第一凹槽具有疏水性侧壁;采用流动性化学气相沉积工艺在所述第一凹槽内形成第一介质层,所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应物为亲水性物质,在所述疏水性侧壁的作用下,使所述第一介质层内具有空气隙。所述方法可以降低第一介质层的介电系数,降低相邻第一栅极结构之间的寄生电容。

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