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一种硅化物生长单壁碳纳米管的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910049694.0
  • IPC分类号:C01B32/159;C01B32/162
  • 申请日期:
    2019-01-18
  • 申请人:
    青岛科技大学
著录项信息
专利名称一种硅化物生长单壁碳纳米管的方法
申请号CN201910049694.0申请日期2019-01-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-04-05公开/公告号CN109573981A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B32/159IPC分类号C;0;1;B;3;2;/;1;5;9;;;C;0;1;B;3;2;/;1;6;2查看分类表>
申请人青岛科技大学申请人地址
山东省青岛市郑州路53号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人青岛科技大学当前权利人青岛科技大学
发明人何茂帅;武倩汝;薛晗;辛本武;张浩;李栋
代理机构济南圣达知识产权代理有限公司代理人郑平
摘要
本发明涉及一种硅化物生长单壁碳纳米管的方法,以FeSi为催化剂,以惰性气体为载气,使碳源在高温条件下生长窄手性/直径SWNTs。有效克服了催化剂制备复杂,SWNTs直径较大,手性分布广的问题,实现在以硅化物为催化剂生长SWNTs,制备出窄手性/直径分布的SWNTs,为硅化物作为手性选择性合成SWNTs的催化剂开辟了道路。

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