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一种金刚石肖特基势垒二极管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510059981.1
  • IPC分类号:H01L29/872;H01L29/06
  • 申请日期:
    2015-02-05
  • 申请人:
    西南科技大学
著录项信息
专利名称一种金刚石肖特基势垒二极管及其制备方法
申请号CN201510059981.1申请日期2015-02-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-05-20公开/公告号CN104638026A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/872
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人西南科技大学申请人地址
四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西南科技大学当前权利人西南科技大学
发明人熊鹰;王兵;杨玉青;刘德雄;王关全;刘业兵
代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司代理人卿诚
摘要
本发明公开了一种金刚石肖特基势垒二极管及其制备方法,目的在于解决目前现有的高度织构化的掺硼多晶金刚石薄膜的肖特基势垒二极管,由于多晶金刚石薄膜仍不可避免地存在大量晶界和位错等缺陷,而陷势必导致肖特基势垒二极管的综合性能下降的问题。本发明首先提出一种交叉“指”状的平面型肖特基势垒二极管及其制备方法,该二极管具有低开启电压、低反向漏电流和较高的整流比,能够将多晶金刚石薄膜中的晶界等缺陷对二级管性能的影响降低到最小化,具有显著的进步意义。同时,本发明具有制作工艺简单、制作成本低的优点,能够有效降低其制造成本,满足大规模工业化生产、应用的需求,具有广阔的应用前景。

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