一种MIS结构GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010362631.3
IPC分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/423
申请日期：
2020-04-30
申请人：
中国电子科技集团公司第五十五研究所

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专利名称	一种MIS结构GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
申请号	CN202010362631.3	申请日期	2020-04-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-07	公开/公告号	CN111509042A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/778 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/778 带有二维载流子气沟道的，如HEMT〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	申请人地址	江苏省南京市秦淮区中山东路524号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第五十五研究所
发明人	王登贵;周建军;孔岑;孔月婵;陈堂胜
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	曹芸

摘要

本发明公开了一种MIS结构GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域。其结构包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层、低维h‑BN层、栅极、源极、漏极以及钝化介质层。本发明通过引入低维h‑BN构建金属‑绝缘层‑半导体（MIS）栅控结构，不仅能够利用h‑BN优异的表面特性降低栅极金属与p‑GaN帽层间的缺陷态和极化电荷，形成高质量MIS栅控界面，提升器件的栅极工作稳定性，而且可借助于h‑BN的高击穿场强特性提升栅极击穿能力，拓宽器件的栅电压工作范围。

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