一种去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410098538.0
IPC分类号：B81C1/00
申请日期：
2014-03-17
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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专利名称	一种去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法
申请号	CN201410098538.0	申请日期	2014-03-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-06	公开/公告号	CN103964374A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	张振兴;熊磊
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

一种去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法，包括：步骤S1：对沉积在所述硅基衬底上的氮化钽层进行刻蚀；步骤S2：对所述光阻层进行灰化处理；步骤S3：对所述光阻层进行湿法剥离；步骤S4：对所述再沉积聚合物进行离子束刻蚀；步骤S5：对所述NiFe层进行离子束刻蚀。本发明去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法通过先后对所述再沉积聚合物进行0°＜α＜30°的Ar离子束刻蚀和对所述NiFe层进行90°＜β＜150°的Ar离子刻蚀，便可有效的去除所述MEMS传感器在制造过程中形成的再沉积聚合物，提高器件可靠性。

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