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一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210001927.8
  • IPC分类号:C23C4/10;C23C4/134
  • 申请日期:
    2012-01-05
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法
申请号CN201210001927.8申请日期2012-01-05
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-07-10公开/公告号CN103194714A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C4/10IPC分类号C;2;3;C;4;/;1;0;;;C;2;3;C;4;/;1;3;4查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司当前权利人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
发明人王文东;黄春;闫坤坤;夏洋
代理机构北京华沛德权律师事务所代理人暂无
摘要
本发明提供了一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法,包括如下步骤步骤(1),将碳化硼粉和碳粉均匀混合,将混合后的粉末送入等离子体喷涂设备;步骤(2),对被喷涂的基材表面进行预处理;步骤(3),通过所述等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂,制备出碳化硼涂层。本发明使用碳掺杂B4C粉等离子喷涂方法制备涂层,当射流喷出后,石墨粉不仅能优先和氧气发生反应,避免B4C的氧化,而且碳的加入,抑制了B4C的高温分解,可降低甚至防止B4C在高温下的C流失,获得性能良好的B4C涂层,同时,碳掺杂不会在涂层中引入杂质元素,保证了涂层质量,且石墨粉的加入可增加粉的流动性,更有利于喷涂。

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