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原子层沉积装置和原子层沉积方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410183662.7
  • IPC分类号:C23C16/455
  • 申请日期:
    2014-04-30
  • 申请人:
    索尼公司
著录项信息
专利名称原子层沉积装置和原子层沉积方法
申请号CN201410183662.7申请日期2014-04-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-11-12公开/公告号CN104141117A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人索尼公司申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索尼公司当前权利人索尼公司
发明人长井博之;桑山哲朗
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚;吴孟秋
摘要
本发明涉及原子层沉积装置和原子层沉积方法。原子层沉积装置包括:可密封的沉积室;保持部,被配置为在沉积室中保持包括沉积表面的基板;供应机构,包括连接至供应气体的气体供应源的导入部,并且被配置为将导入导入部的气体从与沉积表面相对的位置处供应至沉积室;以及排出机构,包括连接至能够排出气体的排出机构的排出部,并且被配置为从与沉积表面相对的位置处给沉积室排气。

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