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用于晶片成像及处理的方法和设备

发明专利无效专利

申请号：
CN201410268610.X
IPC分类号：H01L21/66;H01L31/18;G01N21/64;G01N21/95;G06T7/00
申请日期：
2009-03-31
申请人：
BT成像股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于晶片成像及处理的方法和设备
申请号	CN201410268610.X	申请日期	2009-03-31
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-09-03	公开/公告号	CN104022056A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;G;0;1;N;2;1;/;6;4;;;G;0;1;N;2;1;/;9;5;;;G;0;6;T;7;/;0;0查看分类表>
申请人	BT成像股份有限公司	申请人地址	澳大利亚新南威尔士变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	BT成像股份有限公司	当前权利人	BT成像股份有限公司
发明人	托尔斯滕·特鲁普克;罗伯特·A·巴尔多什
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;吴孟秋

摘要

本发明涉及用于晶片成像及处理的方法和设备。一种对带隙材料进行分析的方法，所述方法包括步骤：(a)获取与所述带隙材料中的位错缺陷有关的信息；以及(b)利用所述信息来对所述带隙材料进行分类。

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