半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710133208.4
IPC分类号：H01L23/31;H01L21/56
申请日期：
2017-03-08
申请人：
东芝存储器株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN201710133208.4	申请日期	2017-03-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-03	公开/公告号	CN107871717A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	东芝存储器株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东芝存储器株式会社	当前权利人	东芝存储器株式会社
发明人	野村泰造
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	杨林勋

摘要

本发明的实施方式提供一种具有稳定的刻印的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括包含配线的配线板、具有刻印的密封树脂、第1半导体元件、第1电极、导线、第1绝缘层、及第2绝缘层。第1半导体元件设置于配线板与密封树脂之间。第1电极设置于第1半导体元件的一部分与密封树脂的一部分之间。导线将配线与第1电极电连接。第1绝缘层的至少一部分在从配线板朝向密封树脂的第1方向上设置于导线的一部分与第1半导体元件之间。第1绝缘层具有第1厚度。第2绝缘层设置于第1半导体元件与密封树脂之间，且包含聚酰亚胺。第2绝缘层的至少一部分在第1方向上与刻印重叠，且具有比第1厚度厚的第2厚度。

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