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半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN99808532.4
IPC分类号：H01L29/778
申请日期：
1999-06-02
申请人：
克里公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管
申请号	CN99808532.4	申请日期	1999-06-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-08-22	公开/公告号	CN1309816
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/778 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/778 带有二维载流子气沟道的，如HEMT〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人	克里公司	申请人地址	美国北卡罗莱纳变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	克里公司	当前权利人	克里公司
发明人	斯科特·T·谢帕德;斯科特·T·阿伦;约翰·W·帕尔莫
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)(10)包括一个半绝缘碳化基底(11)，在基底上是氮化铝缓冲层(12)，在缓冲层上面是绝缘的氮化镓层(13)，氮化镓层上是活性氮化铝镓结构(14)，其上是钝化层(23)，和至氮化铝镓结构的源、漏极和栅接点(21，22，23)。

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