一种非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110428732.7
IPC分类号：G11C16/10
申请日期：
2011-12-20
申请人：
南京大学

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著录项信息

专利名称	一种非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法
申请号	CN201110428732.7	申请日期	2011-12-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-11	公开/公告号	CN102411991A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0查看分类表>
申请人	南京大学	申请人地址	江苏省南京市鼓楼区汉口路22号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京大学	当前权利人	南京大学
发明人	闫锋;吴春波;徐跃;纪晓丽
代理机构	南京天翼专利代理有限责任公司	代理人	陈建和

摘要

非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法，编程步骤分为两阶段，在第一段中，衬底、源极以及栅极都是接地，漏极Vd2接较小的负偏压-1~-2V，脉冲持续时间为T1（100ns~1μs）；在第二阶段中，在栅极加上电压Vg3（4.2~5V），漏极加上电压Vd3(2.7~4.5V)，源极接地，衬底接电压Vb3（0.5~1.5V），脉冲时间为T2<5μs；在第二阶段编程过程中衬底加正偏电压Vb3，是为了抑制空穴在向衬底运动中产生的二次电离，减小电子注入到电荷存储层的范围。本发明保证较低的编程电压下，在存储单元中获得较窄的注入范围，减少俘获型单元存储器件中多位存储时不同位之间的干扰。

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