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一种三维花瓣状镍钴硫化物电极材料的制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710987775.6
  • IPC分类号:H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;B82Y30/00;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2017-10-21
  • 申请人:
    福州大学
著录项信息
专利名称一种三维花瓣状镍钴硫化物电极材料的制备方法和应用
申请号CN201710987775.6申请日期2017-10-21
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-02-23公开/公告号CN107731566A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/86IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;8;6;;;H;0;1;G;1;1;/;2;4;;;H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人福州大学申请人地址
福建省福州市闽侯县甘蔗街道闽侯经济技术开发区南岭支路1号闽侯智能电网设备产业园D2-4F 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福州市桢晟智能科技有限公司当前权利人福州市桢晟智能科技有限公司
发明人郑玉婴;赵文誉
代理机构福州元创专利商标代理有限公司代理人蔡学俊;林文弘
摘要
本发明属于纳米材料和电化学领域,具体涉及一种三维花瓣状镍钴硫化物电极材料的制备方法。以硝酸镍和硝酸钴为镍源和钴源,硫化锰为前躯体,六次甲基四胺为表面活性剂,在水热合成反应釜下反应一段时间得到镍钴硫化物,并将其涂覆在泡沫镍表面,经真空干燥后压制成电极材料。在本发明中,一次水热反应过程中,合成硫化锰前躯体,二次水热过程中,在表面活性剂的协同下,硫化锰前躯体上生长出镍钴氧化物纳米片,同时,同时锰离子和镍钴离子发生柯肯达尔效应得到中空结构。所得电极具备较高的比电容,可用于超级电容器电极材料。

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