存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811190214.4
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22
申请日期：
2018-10-12
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法
申请号	CN201811190214.4	申请日期	2018-10-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-07	公开/公告号	CN110660902A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;2;2查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈升照;萧清泰;蔡正原;匡训冲
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	康艳青;姚开丽

摘要

本发明实施例涉及一种存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法。所述存储器装置包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元、侧壁间隙壁以及上部内连线。磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元设置在衬底上。MRAM单元包括设置在下部电极与上部电极之间的磁性隧道结(MTJ)。侧壁间隙壁沿MRAM单元的相对侧壁排列。上部内连线沿从侧壁间隙壁的第一外边缘连续延伸到侧壁间隙壁的第二外边缘的界面与上部电极的上表面直接接触。

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