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非易失性存储器件及其读取方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110363250.8
IPC分类号：G11C29/44;G11C16/26
申请日期：
2011-11-16
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	非易失性存储器件及其读取方法
申请号	CN201110363250.8	申请日期	2011-11-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-30	公开/公告号	CN102479556A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/44 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/04 损坏存储元件的检测或定位〔8〕 G11C29/08 功能测试，例如，在刷新、通电自检〔POST〕或分布型测试期间的测试〔8〕 G11C29/12 用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置〔BIST〕〔8〕 G11C29/44 错误指示或识别，例如，修复〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;4;4;;;G;1;1;C;1;6;/;2;6查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	尹翔镛;朴起台;孙弘乐
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	钱大勇

摘要

在一个实施例中，一种用于读取非易失性存储器单元阵列中的存储器单元的方法包括基于单个读取命令，使用硬决策电压集合和至少第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。

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