高临界温度超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN92113753.2
IPC分类号：--
申请日期：
1992-12-11
申请人：
周大卫

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高临界温度超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法
申请号	CN92113753.2	申请日期	1992-12-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1994-06-15	公开/公告号	CN1088018
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	周大卫	申请人地址	美国佛罗里达州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	周大卫	当前权利人	周大卫
发明人	周大卫
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

高Tc超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法。宏观方法为：把一高Tc超导氧化陶瓷粉末压入一不与氧反应的中空体内；在足以烧结此超导氧化陶瓷粉末的条件下对已填入此氧化陶瓷粉末的中空体进行热处理；然后密封中空体的所有开口。热处理期间，可选择地施加交变磁场。微观方法为：先制出高Tc超导氧化陶瓷薄膜；选择在某一磁场中烧结淀积的薄膜；利用扫描隧道电子处理机除去薄膜中的部分氧含量，以便在该薄膜的二个高Tc超导畴间形成微观绝缘层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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