一种基于围长约束与EMD的低错误平层LDPC码构造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910020989.5
IPC分类号：H03M13/11
申请日期：
2019-01-09
申请人：
重庆邮电大学

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专利名称	一种基于围长约束与EMD的低错误平层LDPC码构造方法
申请号	CN201910020989.5	申请日期	2019-01-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-14	公开/公告号	CN109756233A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03M13/11 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03M 一般编码、译码或代码转换（用射流方法入F15C 4/00；光学模/数转换器入G02F 7/00；专用于特殊应用的编码、译码或代码转换见有关小类，例如G01D，G01R，G06F，G06T，G09G，G10L，G11B，G11C，H04B，H04L，H04M，H04N；专用于密码技术或涉及需要保密的其他目的的编码或译码入G09C）〔4〕 H03M13/00 用于检错或纠错的编码、译码或代码转换；编码理论基本假设；编码约束；误差概率估计方法；信道模型；代码的模拟或测试（用于模/数，数/模或代码转换的检错或纠错入H03M 1/00至H03M 11/00；专用于数字计算机的入G06F 11/08，用于基于记录载体和传感器之间相对运动的信息存储器入G11B，例如G11B 20/18，用于静态存储器的入G11C）〔4，7〕 H03M13/03 用数据表示中的冗余项检错或前向纠错，即码字包含比源字更多的位数〔7〕 H03M13/05 应用分组码，即与预定信息位编号相连的预定校验位编号〔7〕 H03M13/11 应用多位奇偶校验位的〔7〕	IPC分类号	H;0;3;M;1;3;/;1;1查看分类表>
申请人	重庆邮电大学	申请人地址	重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆邮电大学	当前权利人	重庆邮电大学
发明人	袁建国;王宏森;张希瑞;范福卓;袁梦;刘家齐;庞宇;林金朝
代理机构	北京同恒源知识产权代理有限公司	代理人	赵荣之

摘要

本发明涉及一种基于围长约束与EMD的低错误平层LDPC码构造方法，该方法针对LDPC码在高信噪比区域易出现错误平层现象，利用围长约束和EMD提升环的连通性，降低陷阱集出现的概率，最终达到降低错误平层的目的。其方法过程为：首先以PEG算法为基础，通过围长约束并设定变量节点EMD阈值逐列构造得到初始矩阵，然后新增一个校验节点，进一步提升环的连通性得到最终的校验矩阵。仿真结果表明，所构造的码率为0.5的PGAE‑LDPC(3024,1512)码与同码长码率的两种LDPC码型相比，其纠错性能更为优越，且该码型在信噪比2.2dB以后并未出现明显的错误平层。因而该方案能满足通信系统中低错误平层的要求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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